一、实验目的和任务
掌握二极管基本结构原理，二极管电流电压特性；掌握Silvaco TCAD器件仿真设计流程及器件仿真器Atlas语法规则；分析二极管结构参数变化对主要电学特性的影响。二、实验原理
1、二极管的结构与原理
2、二极管的I~V特性
3、二极管击穿特性
4、Atlas器件仿真流程
三、实验设备
1、工作站或微机终端 1台
2、局域网
3、Untitled-Deckbuild仿真软件 1套
四、实验内容
（一）、器件结构设计
设计一个长15um、宽1um的PN形二极管，其中P区长5um，宽1um；N区长10um，宽1um。
（二）程序设计
（1）用atlas语句生成一维二极管结构：
go atlas
#调用atlas仿真器
mesh
#网格mesh初始化
x.m l=0.0 spac=1.0
x.m l=1.0 spac=1.0
#定义x方向网络信息
y.m l=0 spac=1.0
y.m l=5 spac=0.005
y.m l=15 spac=2
#定义y方向网格信息
region num=1 silicon
#定义区域1，材料为硅
electrode top name=cathode
#定义top电极为阴极，名称为cathode
electrode bottom name=anode
#定义bottom电极为阳极，名称为anode
doping uniform conc=5e17 p.type
#定义p区掺杂浓度，设为均匀掺杂
doping uniform n.type conc=1.e20 x.l=0. x.r=1 y.t=0.0 y.b=5.0
#定义n区掺杂浓度与所在空间范围
save outf=diodeex02_0.str
#存储结构信息
（2）为击穿仿真设置模型
models srh conmob bgn auger fldmob
#击穿仿真设置模型
impact crowell
#激活crowell模型
（3）曲线追踪参数的设置
solve init
#解初始化
solve vcathode=0.1
#设置要进行曲线追踪的电极
method newton trap maxtrap=10 climit=1e-4
#设置数值方法
（4）反向电压曲线追踪仿真
log outf=diodeex02.log
#设置输出文件
solve vcathode=0.25 vstep=0.25 vfinal=10 name=cathode
#阴极电压从0.25V加到10V，步长0.25V
tonyplot diodeex02.log
tonyplot diodeex02_0.str
# 绘图语句
（三）器件结构与杂质分布
（1）表1不同P区浓度下器件结构和输出曲线（N区浓度1 x1020cm-3）
（2）表2不同N区浓度下器件结构和输出曲线（P区浓度5 x1017cm-3）
