代码

#启动仿真工具go atlas#定义网格meshx.mesh location=0.00 spac=1.0x.mesh location=1.00 spac=1.0 #x 0-1，x方向没有打网格，一维结构y.mesh location=0.00 spac=0.1y.mesh location=10.00 spac=0.1 #y 0-10，网格0.1，不算疏，也不算密#定义材料#硅材料region num=1 silicon#定义电极#阳极在上方，阴极在底部electrode name=anode topelectrode name=cathode bottom#定义掺杂浓度#所有区域n型均匀掺杂，浓度5.e16#y方向5-10（p型杂质的底部是5um），是p型均匀掺杂，掺杂浓度5.e17 doping n.type conc=5.e16 uniformdoping p.type conc=5.e17 y.bottom=5.0 uniform#让软件保存导带（ con.band）、价带（val.band）、电子和空穴准费米能级（QFN QFP）output con.band val.band QFN QFP#定义模型#迁移率模型（conmob fldmob）、载流子复合模型（srh auger）、禁带宽度相关模型（ bgn）#电阻只需要漂移电流#但是PN结中，有漂移电流、扩散电流（扩散就有复合，所以需要复合模型）model conmob fldmob srh auger bgn#计算初始值#这里没有加偏压，所以算的是PN结的平衡状态solve init#保存器件输出结构save outf=diode.str#画出器件结构tonyplot diode.strquit

工具仿真

仿真分析

1、PN结的“平衡状态”

2、观察器件内部物理量的分布

3、分析仿真结果的两个工具

端口电流—电压特性器件内部的电场、电流、载流子.……分布

右键display，选择

得到掺杂的浓度图：

做切线，看详细的物理量分布：

cutline可以手动划线，也可以取坐标划线（有时手划的位置不准）。

选择，切y轴方向：

看物理量分布

自己选择自己需要看的物理量分布

在此选择导带、价带、电子和空穴的准费米能级

参考：

最简单的半导体PN结仿真例程