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材料检验技术考研学校推荐 材料专业考研哪个学校好

时间:2020-02-11 07:48:57

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材料检验技术考研学校推荐 材料专业考研哪个学校好

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说到工作,难免就想说下人际关系。学校的同学间关系是很纯很愉快的,成绩不公开排名,成绩90分以上评为A+,85分至89分评为A,以此类推,没有存在竞争。而工作的同事间关系就各种复杂,原因就是利益竞争,记得入职培训,越南师姐在技术上交底、注意事项的坑,数据整理方法,都有所保留。使我在工作中常出错被批,吃了很多苦,又不能说,我经过两个多月没日没夜加班整理、总结,我理清了整个实验工作流程,熟练掌握写报告技巧。师姐被调走了,我负责实验室工作,现带3位实习生,无私的把自己总结的技术经验都讲解到位,我曾经也是实习生,不为难他们。只想说,好好学习,能力说话,选择善良…。

#头条创作挑战赛# 新技术揭示了磁噪声在空间和时间上的变化形状!

普林斯顿大学和威斯康星大学麦迪逊分校的研究人员利用专门设计的带有氮空位中心的钻石,开发了一种通过研究相关性来测量材料中噪声的技术,他们可以利用这些信息来了解噪声的空间结构和时变性质。在这张照片中,一颗具有近表面氮空位中心的钻石被来自显微镜物镜的绿色激光照射。

电磁噪声是通信的一个主要问题,促使无线运营商大量投资于技术来克服它。但对于一个探索原子领域的科学家团队来说,测量噪声的微小波动可能是发现的关键。

噪声通常被认为是一种讨厌的东西,但物理学家可以通过研究噪声学到很多东西。通过测量材料中的噪声,他们可以了解材料的成分、温度、电子如何流动和相互作用,以及自旋如何形成磁体。通常很难测量噪声在空间或时间中的变化。

这项技术依赖于跟踪磁场中的微小波动,它比以往的多次单独测量的平均值方法有了明显的改进。

这些NV(氮空位)中心是对金刚石的碳原子晶格的修改,其中碳被氮原子取代,并且与之相邻的是分子结构中的空白空间或空位。具有NV中心的钻石是少数能够以量子技术和凝聚态物理关键实验所需的规模和速度测量磁场变化的工具之一。

虽然只有一个NV中心可以让科学家对磁场进行详细的读数,但只有当研究团队找到一种同时利用多个NV的方法时,他们才能测量材料中噪声的空间结构。这为理解具有奇异量子行为的材料的特性打开了大门,迄今为止,这些材料的特性只在理论上进行了分析。这是一种全新的技术,很明显,从理论角度来看,能够做到这一点将是非常强大的。

其中一种现象是量子自旋液体,这种材料在近50年前的理论中首次被发现,但很难用实验来表征。在量子自旋液体中,电子不断地流动,这与冷却到一定温度时典型磁性材料的固态稳定性形成对比,量子自旋液体的挑战在于,根据定义,没有静态的磁有序,所以你不能像用另一种材料那样绘制磁场。到目前为止,基本上还没有办法直接测量这些两点磁场相关器,而人们一直在做的是试图为这种测量找到复杂的替代品。

通过用金刚石传感器同时测量多个点的磁场,研究人员可以检测到电子及其自旋在材料中如何跨越空间和时间移动。在开发新方法的过程中,该团队将校准的激光脉冲施加到含有NV中心的钻石上,然后从一对NV中心检测到两个光子计数峰值——在同一时间点读取每个中心的电子自旋。以前的技术会对这些测量结果取平均值,丢弃有价值的信息,使得无法从感兴趣的材料产生的磁场信号中区分钻石及其环境的固有噪声。

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锑基Ⅱ类超晶格InAs/InAsSb红外探测器的研究进展

新型材料结构的设计是提高红外探测器性能的有效途径。锑基Ⅱ类超晶格InAs/InAsSb作为红外光敏材料时结构稳定,且具有低暗电流、高温工作特性以及优越的光电转化效率,是研制高温工作红外探测器的理想材料。

据麦姆斯咨询报道,近期,陕西理工大学机械工程学院叶伟副教授课题组在《激光与光电子学进展》期刊上发表了以“锑基Ⅱ类超晶格InAs/InAsSb红外探测器的研究进展”为主题的综述文章。叶伟副教授主要从事新能源材料与器件的研究工作,研究方向为功能材料与器件(光、电子器件)、储能材料与器件(电池、电容器)、传感器、固体润滑、材料表面改性、真空设备等。

这项研究综述了基于锑化物Ⅱ类超晶格InAs/InAsSb的研究进展,介绍了现阶段应用在典型单极势垒结构中的两种红外探测器性能,并对锑化物Ⅱ类超晶格InAs/InAsSb探测器的发展进行展望。

锑化物InAs/InAsSbⅡ型超晶格(T2SL)的研究进展

在半导体超晶格材料体系中,基于Ⅲ-V族半导体的超晶格材料是人们的研究热点,其带隙在0.1~1.7eV之间,可作为红外波段光电子器件的材料,也可应用在工业检测、监控、测温、医学以及光电搜索、侦探、气象卫星和气候监测等方面。

InAsSb、InAlSb制备探测器的工艺相对简单、成本较低,是高温工作红外探测器领域的重要材料。InAsSb材料具有Ⅲ-V族半导体中最小的带隙,但InAs1−xSbx材料的能量并没有完全控制在中等成分范围内,因此,InAsSb在较低温度(77K)和8~14μm波长范围内工作时没有足够小的带隙。为了解决上述问题,人们设计出一种新的Ⅲ-V族InAs/InAsSb T2SL结构。该结构由若干交错的薄晶体层组成,通过Ⅱ类能带排列,T2SL的有效能带比单个材料组成的结构更窄,可以保持晶格匹配或应变平衡条件,从而实现窄带隙目的。在中波红外(MWIR)和长波红外(LWIR)探测器中用InAs/InAsSb T2SL作为吸收层时,可使探测器表现出优异的工作性能。

图1 InAs和InAsSb的能带对齐示意图:(a)低Sb组分和有序排列的InAs1−xSbx超晶格结构;(b)生长在InAs衬底上的InAs/InAs0. 93Sb0. 07结构;(c)两个跃迁的质量降低结果。

将Ga原子引入InAs层中,可改善材料的吸收效率和光学性能,形成InGaAs/InAsSb T2SL结构。InGaAs/InAsSb T2SL是一种新型本征吸收窄禁带半导体材料,生长在晶格匹配的InP或GaSb衬底上,具有灵活的设计空间,可实现整个红外波段内响应光谱的调节。此外,研究人员还提出一类新的锑化物,即Ⅱ类四元合金超晶格结构材料,进一步完善了超晶格材料体系。

锑化物InAs/InAsSb T2SL应用的典型势垒结构、InAs/InAsSb T2SL红外探测器的结构主要有PIN光电二极管和势垒结构光电探测器。PIN光电二极管主要由P型、无意掺杂I层和N型半导体材料组成。势垒光电探测器包括NBN结构、PBN结构、p-π-M-n结构、pMp结构等。为了减小器件的暗电流,人们提出了不同类型势垒结构的探测器。对于Ⅲ-V族半导体化合物,可根据实际目的设计出符合需要的材料结构,以抑制扩散、带间隧穿和复合电流的产生。

图2 器件的结构示意图:(a)NBN结构探测器;(b)理想NBN结构在反偏压下的能带图。

图3 器件结构示意图:(a)P+-N-N+结构探测器;(b)PBN结构探测器;(c)双势垒PBN结构探测器。

图4 器件的能带结构示意图:(a)PBP结构;(b)CBIRD结构。

锑化物InAs/InAsSb T2SL作为红外探测器高温工作下的理想材料,在不同应用领域中将会有许多关键的挑战。近年来,人们对Ⅲ-V族材料外延生长理论和工艺的研究使T2SL技术有了显著的进展。此外,InAs/InAsSb超晶格的提出,避免了引入Ga后在禁带中产生复合中心,有效提高了少数载流子寿命,且随着Ⅱ超晶格技术及理论的不断完善,锑化物超晶格红外波焦平面技术在可操作性、均匀性、稳定性以及可扩展性上的优势将更明显。基于锑化物Ⅱ类超晶格InAs/InAsSb的雪崩探测器(APD)目前尚处于探索阶段,但具有一定的发展潜力,该研究对基于锑化物第三代向第四代红外探测器的发展具有重要研究意义和实用价值。

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