量子点量子阱,quantum dot quantum well
1)quantum dot quantum well量子点量子阱
1.Under the effective mass approximation, the energy levels for the bound states of electron and hole in aquantum dot quantum well (QDQW) system are investigated.在有效质量近似下,考察了一个特殊量子点量子阱体系中的电子与空穴束缚态能级结构,以CdS/HgS和ZnS/CdSe构成的量子点量子阱为例进行了数值计算。
2.We studied the electron states in aquantum dot quantum well(QDQW) system.首先研究了量子点量子阱中的电子态 ,对阱外及阱内的两种束缚态都进行了考虑 ,然后采用微扰方法 ,对量子点量子阱系统中的极化子效应进行了研究 。
英文短句/例句
1.Studies on the Nonlinear Optical Properties in Coupled Quantum Wells and Cylindrical Quantum Dot Quantum Well非对称耦合量子阱、柱形量子点量子阱中非线性光学性质研究
2.Studies on the Third-order Nonlinear Optical Properties of a Quantum Dot Quantum Well量子点量子阱中的三阶非线性光学特性的研究(英文)
3.Vibrational Eigenmodes and Electron-Phonon Interaction in Quantum Dot-Quantum Well Structures;量子点—量子阱结构中的振动本征模和电子—声子相互作用
4.semiconductor quantum well laser diode量子阱半导体激光管
5.MQW semiconductor laser多量子阱半导体激光器
6.quantum-well semiconductor laser量子阱半导体激光器
7.quantum well heterojunction laser量子阱异质结激光器
8.Researches on AlGaInN QW LED;AlGaInN量子阱LED的研究
9.Optimization Design of Quantum Wells Number in Active Cavity of Quantum Well LD量子阱LD有源区量子阱数目的优化设计
10.Stimulated emission in porous silicon quantum dots:the role of trap states多孔硅量子点的受激辐射:陷阱态的作用
11.The Energy of an Exciton in a Wurtzite GaN/Al_xGa_(1-x)N Quantum Well纤锌矿GaN/Al_xGa_(1-x)N量子阱中激子能量
12.Energy of Bound Polaron in Wurtzite GaN/AlN Quantum Well纤锌矿GaN/AlN量子阱中束缚极化子能量
13.Study on Polaron Effect in Quantum Wire and Quantum Well with Parabolic Confining Potential抛物量子线、量子阱中极化子效应的研究
14.Tunneling of Electrons Through Parabolic Quantum Well Structures with Double Barriers;双势垒抛物量子阱结构中的电子隧穿
15.The Theoretical Study of Particle Transmission in Quantum Well System量子阱系统中对粒子透射的理论研究
16.Properties of the Weak-coupling Polaron in Infinite Quantum Well无限深量子阱中弱耦合极化子的性质
17.Research on energy level properties of symmetric coupled quantum well and optimization for quantum well structures;对称耦合量子阱能级特性研究与量子阱结构优化
18.THE EFFECTS OF THE DIFFERENT BRANCH PHONONS ON THE ENERGY OF ACCEPTOR量子阱中不同支声子模对杂质态能量的影响
相关短句/例句
quantum-dot-quantum-well量子点-量子阱
1.Time-resolved photoluminescence of sub-monolayer InGaAs/GaAsquantum-dot-quantum-well heterostructures;亚单层InGaAs量子点-量子阱异质结构的时间分辨光致发光谱
3)dot-in-well QD阱内量子点
1.8 ML),dot-in-well QD(In0.8ML)、阱内量子点(In0。
4)quantum dot-quantum well (QD-QW) structure量子点-量子阱结构
5)Quantum-dot Quantum well structure量子点量子阱结构
6)ZnCdSe QW/CdSe QDsZnCdSe量子阱/CdSe量子点
1.The recombination and tunneling of excitons in theZnCdSe QW/CdSe QDs structure were investigated using photoluminescence(PL)spectra at 5K.采用MOCVD方法制备了ZnCdSe量子阱/CdSe量子点耦合结构,利用低温(5K)光致发光光谱和变密度发光光谱研究了该结构中的激子隧穿和复合。
延伸阅读
量子阱量子阱quantum Well到明显的量子化效应，阱宽尺寸必须小于电子的平均自由程(约为500人数量级)，并小于或等于电子的德布罗意波波长月d以d二h/P，h为普朗克常数，P为电子动量)。这表明，只有当阱宽尺寸足够小时才能形成量子阱。利用分子束外延、金属有机化合物化学气相沉积等薄层生长技术，已能制备不同结构参量的量子阱材料。结构在两种不同半导体材料形成的异质结界面处，导带边和价带边各有一个阶跃(见异质结)。两个彼此相距足够近的、相向的突变异质结就能形成一个典型的矩形量子阱，其中禁带宽度大的半导体材料组成势垒层，两个势垒层之间禁带宽度较小的半导体材料薄层组成势阱层。被束缚于阱层内的载流子(电子或空穴)的波函数和能级取决于量子阱的势垒高度V0、阱宽Lw、垒宽Lz、阱和垒中载流子的有效质量阴每、卿言等参量。束缚在势阱中的电子波函数在之方向受到势垒的限制，其能量状态发生量子化(图l)。但在x，y┌──────┐│ \_护/ ││/尹--一、、 │├──────┤││└──────┘图l量子阱的能级和波函数方向平面内，电子仍可自由运动。当势垒高度为无限大(巧一co)时，按薛定愕方程，电子在势阱中将处于分立的能级，其能量本征值为。九/”万、2.九乙”一~痴砰、王蕊声十石蔽万气‘十芍，式中，解和m乃是电子在之方向和与之垂直的方向上的有效质量;kx和ky是电子在x、y方向的波矢;”为能级的量子数，取1，2，3，……等分立的整数值。当势垒高度V0为有限值时，量子阱中波函数和所形成的子能级的情况变化不大，但电子波函数将从势阱向两侧的势垒层扩展，从界面开始向势垒方向按指数衰减;量子能级的能量位置也有所移动。上述矩形单量子阱中的电子态问题实际上就是量子力学中最简单的一维方阱问题，量子阱材料的生长使这一基础物理问题在人工制备的结构中得以实现。在由两种不同半导体材料薄层交替生长形成的多层结构中，如果势垒层足够厚，以致相邻势阱之间载流子波函数之间祸合很小，则多层结构将形成许多分离的量子阱，称多量子阱。如果势垒层很薄，相邻阱之间的祸合很强，原来在各量子阱中分立的能级将扩展成能带(微带)，能带的宽度和位置与势阱的深度、宽度及势垒的厚度有关，这样的多层结构称为超晶格。具有超晶格特点的结构有时称为祸合的多量子阱。物理特性量子阱中的电子态、声子态和其他元激发过程以及它们之间的相互作用，与三维体材料中的情况有很大差别。
